Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Produse semiconductoare discrete
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - Single
  5. APTM120DA30CT1G

Microsemi Corporation - APTM120DA30CT1G

KEY Part #: K6403799

APTM120DA30CT1G Preț (USD) [2233buc Stoc]

  • 100 pcs$25.45625
Numărul piesei:
APTM120DA30CT1G
Producător:
Microsemi Corporation
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - SCR - Module, Dioduri - Zener - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - Module IGBT, Dioduri - Zener - Single and Tiristoare - DIAC, SIDAC ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G electronic components. APTM120DA30CT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120DA30CT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120DA30CT1G Atributele produsului

Numărul piesei : APTM120DA30CT1G
Producător : Microsemi Corporation
Descriere : MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Serie : POWER MOS 8™
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 1200V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 31A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 14560pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 657W (Tc)
Temperatura de Operare : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : SP1
Pachet / Caz : SP1

Cele mai recente știri

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Poți fi, de asemenea, interesat
  • AUIRFZ24NS

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK.

  • AUIRFR8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8403

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8401

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • SSM3K7002BF,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

  • SSM3J14TTE85LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.

Piese calde