IXYS - IXFN210N20P

KEY Part #: K6397361

IXFN210N20P Preț (USD) [2686buc Stoc]

  • 1 pcs$16.92898
  • 10 pcs$15.65954
  • 25 pcs$14.38973
  • 100 pcs$13.37390
  • 250 pcs$12.27352

Numărul piesei:
IXFN210N20P
Producător:
IXYS
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - Module IGBT, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tranzistori - IGBT - Arrays, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased and Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF ...
Avantaj competitiv:
We specialize in IXYS IXFN210N20P electronic components. IXFN210N20P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN210N20P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN210N20P Atributele produsului

Numărul piesei : IXFN210N20P
Producător : IXYS
Descriere : MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Serie : HiPerFET™
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 200V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 188A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 18600pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 1070W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : SOT-227B
Pachet / Caz : SOT-227-4, miniBLOC