Taiwan Semiconductor Corporation - MUR315S M6G

KEY Part #: K6457849

MUR315S M6G Preț (USD) [718289buc Stoc]

  • 1 pcs$0.05149

Numărul piesei:
MUR315S M6G
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descriere detaliata:
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - scop special, Dioduri - Zener - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tiristoare - TRIAC and Tranzistori - IGBT - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation MUR315S M6G electronic components. MUR315S M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR315S M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR315S M6G Atributele produsului

Numărul piesei : MUR315S M6G
Producător : Taiwan Semiconductor Corporation
Descriere : DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Serie : -
Starea parțială : Not For New Designs
Tipul diodei : Standard
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 150V
Curent - mediu rectificat (Io) : 3A
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 875mV @ 3A
Viteză : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) : 25ns
Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 5µA @ 150V
Capacitate @ Vr, F : -
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : DO-214AB, SMC
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcționare - Junction : -55°C ~ 175°C

Poți fi, de asemenea, interesat
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns