Vishay Siliconix - SISC06DN-T1-GE3

KEY Part #: K6411787

SISC06DN-T1-GE3 Preț (USD) [211203buc Stoc]

  • 1 pcs$0.17513

Numărul piesei:
SISC06DN-T1-GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 30V.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - JFET-uri, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - IGBT - Arrays, Tiristoare - SCR - Module, Dioduri - RF and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 electronic components. SISC06DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISC06DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISC06DN-T1-GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SISC06DN-T1-GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 30V
Serie : TrenchFET® Gen IV
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 30V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 27.6A (Ta), 40A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 2455pF @ 15V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® 1212-8
Pachet / Caz : PowerPAK® 1212-8

Poți fi, de asemenea, interesat
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.