Numărul piesei :
RN1961FE(TE85L,F)
Producător :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Starea parțială :
Obsolete
Tip tranzistor :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max) :
100mA
Tensiune - emițător colector (Max) :
50V
Rezistor - bază (R1) :
4.7 kOhms
Rezistor - bază emițător (R2) :
4.7 kOhms
DC Creșterea curentului (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturație (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Curentul curent - colector (maxim) :
100nA (ICBO)
Frecvență - tranziție :
250MHz
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachet / Caz :
SOT-563, SOT-666
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
ES6