Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Produse semiconductoare discrete
  4. Dioduri - Redresoare - Arrays
  5. MURT10060R

GeneSiC Semiconductor - MURT10060R

KEY Part #: K6468512

MURT10060R Preț (USD) [1067buc Stoc]

  • 1 pcs$40.55691
  • 50 pcs$27.12140
Numărul piesei:
MURT10060R
Producător:
GeneSiC Semiconductor
Descriere detaliata:
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Modulele Power Driver, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Dioduri - punți redresoare, Tiristoare - TRIAC and Dioduri - Zener - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT10060R electronic components. MURT10060R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT10060R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT10060R Atributele produsului

Numărul piesei : MURT10060R
Producător : GeneSiC Semiconductor
Descriere : DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Serie : -
Starea parțială : Active
Configurarea diodelor : -
Tipul diodei : Standard, Reverse Polarity
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 600V
Curent - Mediu rectificat (Io) (pe diodă) : 100A (DC)
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 1.7V @ 100A
Viteză : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) : 75ns
Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 25µA @ 50V
Temperatura de funcționare - Junction : -40°C ~ 175°C
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachet / Caz : Three Tower
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : Three Tower
Poți fi, de asemenea, interesat
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • MMBFJ211

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 20MA SOT23.

  • MMBF4416

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

  • MMBF4416A

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 35V 15MA SOT23.

  • 2SK209-GR(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    JFET N-CH SOT23.

  • BF999E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.

Piese calde