Numărul piesei :
IPB65R125C7ATMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
MOSFET N-CH TO263-3
Starea parțială :
Discontinued at Digi-Key
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
650V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
18A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
4V @ 440µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
1670pF @ 400V
Distrugerea puterii (Max) :
101W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
D²PAK (TO-263AB)
Pachet / Caz :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB