GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

Categorii de familii:: KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - IGBT - Arrays, Tranzistori - JFET-uri, Dioduri - Zener - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Dioduri - punți redresoare and Tiristoare - SCR - Module ...

Avantaj competitiv:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 electronic components. GA04JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA04JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Numărul piesei : GA04JT17-247

Producător : GeneSiC Semiconductor

Descriere : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

Serie : -

Starea parțială : Active

Tipul FET : -

Tehnologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 1700V

Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 4A (Tc) (95°C)

Tensiunea de transmisie (valorile max. : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 4A

Vgs (a) (Max) @ Id : -

Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET Feature : -

Distrugerea puterii (Max) : 106W (Tc)

Temperatura de Operare : 175°C (TJ)

Tipul de montare : Through Hole

Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-247AB

Pachet / Caz : TO-247-3

Poți fi, de asemenea, interesat

FCD3400N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
FCD260N65S3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
FCD7N60TM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
FCD2250N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.
FDD86250

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.
TK25A60X5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

Piese calde