Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Produse semiconductoare discrete
  4. Dioduri - Redresoare - Single
  5. JAN1N5811US

Microsemi Corporation - JAN1N5811US

KEY Part #: K6427766

JAN1N5811US Preț (USD) [9400buc Stoc]

  • 1 pcs$4.66293
  • 100 pcs$4.63973
Numărul piesei:
JAN1N5811US
Producător:
Microsemi Corporation
Descriere detaliata:
DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HR SM
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tiristoare - TRIAC, Tiristoare - SCR - Module, Dioduri - Zener - Single, Dioduri - Redresoare - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays and Tranzistori - Unijuncții programabile ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5811US electronic components. JAN1N5811US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5811US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5811US Atributele produsului

Numărul piesei : JAN1N5811US
Producător : Microsemi Corporation
Descriere : DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Starea parțială : Active
Tipul diodei : Standard
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 150V
Curent - mediu rectificat (Io) : 6A
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 875mV @ 4A
Viteză : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) : 30ns
Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 5µA @ 150V
Capacitate @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : SQ-MELF, B
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : B, SQ-MELF
Temperatura de funcționare - Junction : -65°C ~ 175°C

Cele mai recente știri

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Poți fi, de asemenea, interesat
  • GP2D003A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2.

  • V20PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V20PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PW10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

Piese calde