Vishay Siliconix - SIHH068N60E-T1-GE3

KEY Part #: K6405042

SIHH068N60E-T1-GE3 Preț (USD) [20060buc Stoc]

  • 1 pcs$2.05446

Numărul piesei:
SIHH068N60E-T1-GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - scop special, Dioduri - RF, Dioduri - punți redresoare, Tranzistori - IGBT - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - JFET-uri and Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH068N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH068N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH068N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH068N60E-T1-GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SIHH068N60E-T1-GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CHAN 600V POWERPAK 8X8
Serie : E
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 600V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 34A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 68 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 2650pF @ 100V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 202W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® 8 x 8
Pachet / Caz : 8-PowerTDFN

Poți fi, de asemenea, interesat