Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Circuite integrate (IC)
  4. Memorie
  5. IS43DR86400E-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400E-3DBLI-TR

KEY Part #: K938706

IS43DR86400E-3DBLI-TR Preț (USD) [21558buc Stoc]

  • 1 pcs$2.12562
Numărul piesei:
IS43DR86400E-3DBLI-TR
Producător:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descriere detaliata:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Linear - Amplificatoare - Instrumentație, Amperi O, Ceas / Timing - Baterii IC, Memorie, IC specializate, Interface - Telecom, Logic - porți și invertoare, PMIC - Regulatoare de tensiune - Controlere de com and Interfață - Drivere, receptoare, transmițătoare ...
Avantaj competitiv:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI-TR electronic components. IS43DR86400E-3DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400E-3DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400E-3DBLI-TR Atributele produsului

Numărul piesei : IS43DR86400E-3DBLI-TR
Producător : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descriere : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serie : -
Starea parțială : Active
Tip de memorie : Volatile
Formatul memoriei : DRAM
Tehnologie : SDRAM - DDR2
Capacitate de memorie : 512Mb (64M x 8)
Frecvența ceasului : 333MHz
Scrieți durata ciclului - Word, Page : 15ns
Timpul de acces : 450ns
Interfața de memorie : Parallel
Tensiune - Aprovizionare : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de Operare : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : 60-TFBGA
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 60-TWBGA (8x10.5)

Cele mai recente știri

Silicom MinnowBoard Turbot
Poți fi, de asemenea, interesat
  • FM25V02A-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial

  • AT28HC64B-70SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM PRLLEL EEPROM 64K 8K 70NS SOIC IND TMP GR

  • MB85R256FPNF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP.

  • 7164S25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP. SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM

  • 71V3576S150PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • 71V3577S75PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

Piese calde