Numărul piesei :
SIHA4N80E-GE3
Producător :
Vishay Siliconix
Descriere :
MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
800V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
4.3A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
622pF @ 100V
Distrugerea puterii (Max) :
69W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
TO-220 Full Pack
Pachet / Caz :
TO-220-3 Full Pack