Infineon Technologies - IDC08S60CEX1SA2

KEY Part #: K6441885

[3322buc Stoc]


    Numărul piesei:
    IDC08S60CEX1SA2
    Producător:
    Infineon Technologies
    Descriere detaliata:
    DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - JFET-uri, Tiristoare - TRIAC, Dioduri - punți redresoare, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - scop special and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Infineon Technologies IDC08S60CEX1SA2 electronic components. IDC08S60CEX1SA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC08S60CEX1SA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDC08S60CEX1SA2 Atributele produsului

    Numărul piesei : IDC08S60CEX1SA2
    Producător : Infineon Technologies
    Descriere : DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
    Serie : CoolSiC™
    Starea parțială : Obsolete
    Tipul diodei : Silicon Carbide Schottky
    Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 600V
    Curent - mediu rectificat (Io) : 8A (DC)
    Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 1.7V @ 8A
    Viteză : No Recovery Time > 500mA (Io)
    Timp de recuperare invers (trr) : 0ns
    Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 100µA @ 600V
    Capacitate @ Vr, F : 310pF @ 1V, 1MHz
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachet / Caz : Die
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : Die
    Temperatura de funcționare - Junction : -55°C ~ 175°C

    Poți fi, de asemenea, interesat
    • CDBDSC51200-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

    • VS-30EPH06-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

    • VS-E4PU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

    • VS-60APH03-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt

    • VS-30APF10-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

    • VS-60APU04-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 400V Ultrafast 50ns FRED Pt