Numărul piesei :
TK4A65DA(STA4,Q,M)
Producător :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere :
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
650V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
3.5A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 25V
Distrugerea puterii (Max) :
35W (Tc)
Temperatura de Operare :
150°C (TJ)
Tipul de montare :
Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
TO-220SIS
Pachet / Caz :
TO-220-3 Full Pack